产品介绍
意法半导体（STMicroelectronics）扩展了其STGAP3S栅极驱动器系列，推出了一款新型电隔离栅极驱动器，该产品采用增强型电隔离设计，以提升可靠性。新产品是一款高效且经济的3A驱动能力产品，特别适用于需要较低驱动电流的电路。
技术特点
新产品STGAP3S3S针对碳化硅（SiC）MOSFET进行了优化，而STGAP3S3IF则适用于IGBT。所有STGAP3S驱动器均可在高达1200V的高压母线电路中工作，适用于多种应用，包括功率因数校正（PFC）、电源、DC/DC转换器和逆变器等。
安全认证
这些驱动器获得了包括UL 1577和IEC 60747-17在内的国际安全与绝缘认证，独立验证了其强隔离性能、安全运行能力以及在高电压下长期可靠的表现。
应用领域
典型应用包括充电站、储能系统（ESS）、太阳能逆变器、叉车等工业电动车、感应加热设备，以及通用驱动、泵和风机等。
隔离技术
意法半导体的加强绝缘隔离技术可保护功率级电路免受高达9.6kV的瞬态干扰，并确保高达200V/ns的共模瞬态抗扰度（CMTI）。该系列包含三种驱动能力版本，分别可提供最高10A、6A和新增加的3A灌/拉电流能力。
集成功能
全新的STGAP3S3系列具有3A驱动能力，集成主动米勒钳位功能，包括钳位MOSFET，可防止功率开关发生不希望的感应导通，从而避免直通电流。集成MOSFET可节省PCB空间、简化电路设计并降低物料清单成本。
保护功能
所有STGAP3S驱动器都具备去饱和检测和软关断功能，以确保电压和电流的受控转换，从而在危险的过载或短路情况下保护功率开关。
评估板与量产
每款STGAP3S驱动器都提供评估板，包括最新的3A型号。完整的STGAP3S系列现已量产，可用于驱动IGBT和SiC MOSFET。